Processo de fabricação de carboneto de silício

Devido ao baixo teor natural, o carboneto de silício é principalmente feito pelo homem. O método comum é misturar areia de quartzo com coque, usar sílica e coque de petróleo, adicionar sal e serragem, colocá-lo em um forno elétrico, aquecê-lo a uma alta temperatura de cerca de 2000 graus e obter micropó de carboneto de silício após vários produtos químicos processos.

O carbeto de silício (SiC) é um abrasivo importante devido à sua grande dureza, mas sua faixa de aplicação excede a dos abrasivos comuns. Por exemplo, sua resistência a altas temperaturas e condutividade térmica o tornam um dos materiais de móveis de forno preferidos para fornos de túnel ou fornos de transporte, e sua condutividade elétrica o torna um importante elemento de aquecimento elétrico. Para preparar produtos de SiC, o primeiro passo é preparar blocos de fundição de SiC [ou: pellets de SiC, porque contêm C e são super duros, então os pellets de SiC já foram chamados: esmeril. Mas atenção: tem uma composição diferente do esmeril natural (granada). Na produção industrial, os blocos de fundição de SiC geralmente usam quartzo, coque de petróleo, etc. como matérias-primas, materiais auxiliares recuperados e materiais usados, e são preparados em uma carga com proporção razoável e tamanho de partícula adequado por meio de moagem e outros processos (para ajustar a permeabilidade ao gás da carga, é necessário adicionar uma quantidade adequada de A serragem é preparada adicionando uma quantidade adequada de sal ao preparar carboneto de silício verde) por alta temperatura. O equipamento térmico para a preparação de blocos de fundição de SiC em alta temperatura é um forno elétrico especial de carbeto de silício, e sua estrutura consiste no fundo do forno, na parede final com eletrodos na superfície interna, na parede lateral destacável e no corpo do núcleo do forno (totalmente nome: corpo de aquecimento energizado no centro do forno elétrico, geralmente é composto de pó de grafite ou coque de petróleo instalado no centro da carga de acordo com uma certa forma e tamanho, geralmente circular ou retangular, suas duas extremidades são conectadas com eletrodos ) e assim por diante. O método de queima utilizado pelo forno elétrico é comumente conhecido como: queima de pó enterrado. Assim que é energizado, o aquecimento começa. A temperatura do corpo do núcleo do forno é de cerca de 2500 graus, ou ainda mais alta (2600-2700 graus). Quando a carga atinge 1450 graus, o SiC começa a ser sintetizado (mas o SiC é formado principalmente em Maior ou igual a 1800 graus), e o CO é liberado. No entanto, SiC se decomporá quando maior ou igual a 2600 graus, mas o Si decomposto formará SiC com C na carga. Cada grupo de fornos elétricos é equipado com um conjunto de transformadores, mas apenas um único forno elétrico é alimentado durante a produção, de modo a ajustar a tensão de acordo com as características da carga elétrica para basicamente manter a potência constante. O forno elétrico de alta potência precisa ser aquecido por cerca de 24 horas. Após um período de resfriamento, as paredes laterais podem ser removidas e, em seguida, a carga é removida gradualmente.

A carga após a calcinação a alta temperatura é de fora para dentro: material não reagido (no forno para preservação de calor), oxicarbeto de silício (material semi-reativo, os principais componentes são C e SiO), camada adesiva (está muito bem ligada). camada de material, os principais componentes são C, SiO2, 40 por cento -60 por cento de SiC e carbonatos de Fe, Al, Ca, Mg), camada amorfa (o componente principal é 70 por cento -90 por cento de SiC, e é SiC cúbico Ou seja, -sic, o resto são carbonatos de C, SiO2 e Fe, A1, Ca, Mg), camada de SiC de segundo grau (o componente principal é 90 por cento a 95 por cento de SiC, esta camada formou hexagonal SiC, mas o cristal é relativamente pequeno. Pequeno, muito frágil, não pode ser usado como abrasivo), SiC de primeira qualidade ((conteúdo de SiC<96%, and="" is="" hexagonal="" sic,="" i.e.,="" a="" coarse="" crystal="" of="" sic),="" furnace="" core="" graphite.="" in="" the="" above-mentioned="" layers,="" usually="" untreated="" the="" reaction="" material="" and="" a="" part="" of="" the="" silicon="" oxycarbide="" layer="" material="" are="" collected="" as="" spent="" materials,="" and="" another="" part="" of="" the="" silicon="" oxycarbide="" layer="" is="" collected="" together="" with="" the="" amorphous="" material,="" secondary="" products,="" and="" part="" of="" the="" binder="" as="" the="" return="" material,="" while="" some="" are="" tightly="" bonded="" and="" lumpy.="" the="" binders="" with="" high="" degree="" and="" many="" impurities="" are="" discarded,="" while="" the="" first-grade="" products="" are="" classified,="" coarsely="" crushed,="" finely="" crushed,="" chemically="" treated,="" dried="" and="" sieved,="" and="" magnetically="" separated="" into="" black="" or="" green="" sic="" particles="" of="" various="" particle="" sizes.="" to="" make="" silicon="" carbide="" micropowder,="" it="" has="" to="" go="" through="" the="" water="" selection="" process;="" to="" make="" silicon="" carbide="" products,="" it="" has="" to="" go="" through="" the="" process="" of="" forming="" and="">