Carboneto de silício versátil e poderoso
O Versatile Powerhouse Silicon Carbide refere-se a um material semicondutor de alto-desempenho e seus dispositivos associados que são construídos usando carboneto de silício (SiC).
Descrição
ZhenAn International Co., Limited é um dos fabricantes e fornecedores mais confiáveis de carboneto de silício versátil na China. Com vasta experiência, damos as boas-vindas a você para vender por atacado carboneto de silício versátil e com desconto em estoque aqui de nossa fábrica. Produtos de qualidade e preço razoável estão disponíveis.
Descrição
Carboneto de silício versátil e poderoso. Dispositivos de carboneto de silício podem operar em temperaturas mais altas, normalmente de 200 a 300 graus Celsius. Isto os torna adequados para ambientes exigentes onde os dispositivos tradicionais de silício falhariam ou exigiriam mecanismos de resfriamento adicionais.
Especificação
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CONTEÚDO QUÍMICO |
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SiC |
98% mínimo |
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SiO2 |
1% no máximo |
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FÍSICO PROPRIEDADES |
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Dureza de Moh |
9.2 |
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Ponto de fusão |
2300 graus |
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Temperatura de trabalho |
1900 graus |
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Gravidade Específica |
3,2-3,45g/cm3 |
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Densidade aparente |
1,2-1,6g/cm3 |
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Cor |
Preto |
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Módulo de elasticidade |
58-65x106psi |


Carboneto de silício versátil e potente. O carboneto de silício é um composto que consiste em átomos de silício e carbono dispostos em uma estrutura de rede cristalina. É conhecido por suas propriedades excepcionais, incluindo alta condutividade térmica, amplo bandgap, alta resistência ao campo elétrico e excelente resistência mecânica.
Os dispositivos Versatile Powerhouse Silicon Carbide utilizam essas propriedades exclusivas para permitir melhorias significativas em diversas aplicações, especialmente em eletrônica de potência. Alguns dos principais recursos e benefícios desta tecnologia incluem:
Alta densidade de potência: dispositivos de carboneto de silício podem lidar com densidades de corrente mais altas e operar em temperaturas mais altas em comparação com dispositivos tradicionais-baseados em silício. Isso permite que mais potência seja agrupada em um formato menor, levando a sistemas com maior densidade de potência.
Alta frequência de comutação: dispositivos de carboneto de silício podem alternar em frequências muito mais altas em comparação com dispositivos-baseados em silício. Esta capacidade permite velocidades de comutação mais rápidas, reduzindo as perdas de comutação e permitindo uma conversão de energia mais eficiente.
Perdas reduzidas: dispositivos de carboneto de silício apresentam perdas de condução e comutação mais baixas em comparação com dispositivos-baseados em silício. Isso resulta em maior eficiência e menor dissipação de energia, levando à economia de energia e melhor desempenho do sistema.
Perguntas frequentes
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R: Sim, podemos fornecer amostras grátis aos clientes para que eles verifiquem a qualidade ou façam as análises químicas, mas informe-nos os requisitos detalhados para prepararmos as amostras corretas.
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